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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI5906DU_V01 | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • New Thermally Enhanced PowerPAK® ChipFET® Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance - Thin 0.8 mm Profile • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Netwo | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   |
更新时间：2026-1-28 22:58:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2016+ |
DPAKFET |
6000 |
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VIS |
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VIS |
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Vishay Siliconix |
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VISHAY |
25+ |
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VISHAY |
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SI5906DU_V01规格书下载地址
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SI5356A-B-GMR 是一款高集成度时钟发生器芯片，广泛应用于通信设备、网络交换机、服务器、数据中心等领域。该器件支持多达六路独立输出，能够灵活生成多种频率信号，为复杂系统提供可靠、低抖动的时钟基准。
SI5356A-B-GMR 5000
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