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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI5858DU-T1-GE3 | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode 文件：126.78 Kbytes Page：10 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   |
SI5858DU-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI5858DU-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2026-2-13 9:18:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
SOP-8 |
8160 |
原厂原装 |
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VISHAY |
23+ |
SOP-8 |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
1206-8 |
32360 |
VISHAY/威世全新特价SI5858DU-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
1206-8 |
60000 |
全新原装现货 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
1206-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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Vishay(威世) |
25+ |
N/A |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
1206-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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Vishay(威世) |
24+ |
N/A |
11800 |
可配单提供样品 |
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VISHAY |
1206-8 |
6688 |
15 |
现货库存 |
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SI5356A-B-GMR 5000
2025-10-28SI5908DC-T1-E3
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2023-5-8Si5904DC-T1-GE3
Si5904DC-T1-GE3
2021-9-16SI5902DC-T1-GE3
SI5902DC-T1-GE3
2021-9-16SI5351A
SI5351A，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-8-20Si5348B-D-GM
LVCMOS, LVDS, LVPECL 时钟合成器/抖动清除器 , 6 Output 时钟合成器/抖动清除器 , + 125 C - 40 C 时钟合成器/抖动清除器 , 932SQL450 时钟合成器/抖动清除器 , 1 Output 时钟合成器/抖动清除器 , 1570 MHz 时钟合成器/抖动清除器
2020-7-8
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