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SI5858DU-T1-GE3中文资料

SI5858DU-T1-GE3
厂家型号

SI5858DU-T1-GE3
文件大小

126.78Kbytes
页面数量

10页
功能描述

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载
简称

VISHAY【威世】

生产厂商

Vishay Siliconix
中文名称

威世科技公司官网

相近规格书

SI5858DU-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI5858DU-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SI5858DU-T1-GE3供应商...

更新时间：2025-10-14 19:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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