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SI5517DU-T1-GE3价格
参考价格：￥2.9108
型号：SI5517DU-T1-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SI5517DU-T1-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI5517DU-T1-GE3批发/采购报价，SI5517DU-T1-GE3行情走势销售排行榜，SI5517DU-T1-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI5517DU-T1-GE3 | N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFETs • Thermally enhanced PowerPAK ChipFET package - Small footprint area - Low on-resistance - Thin 0.8 mm profile • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Complementary MOSFET for porta | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SI5517DU-T1-GE3 | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：140.61 Kbytes Page：12 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
SI5517DU-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI5517DU-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
SOT23 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
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VISHAY |
23+ |
POWERPA |
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VISHAY |
23+ |
ChipFET 1206-8 |
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VISHAY |
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SOT23 |
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VISHAY |
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SOT23 |
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全新原装公司现货
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SI5356A-B-GMR 是一款高集成度时钟发生器芯片，广泛应用于通信设备、网络交换机、服务器、数据中心等领域。该器件支持多达六路独立输出，能够灵活生成多种频率信号，为复杂系统提供可靠、低抖动的时钟基准。
SI5356A-B-GMR 5000
2025-10-28SI5908DC-T1-E3
SI5908DC-T1-E3
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SI5902DC-T1-GE3
2021-9-16SI5351A
SI5351A，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-8-20Si5348B-D-GM
LVCMOS, LVDS, LVPECL 时钟合成器/抖动清除器 , 6 Output 时钟合成器/抖动清除器 , + 125 C - 40 C 时钟合成器/抖动清除器 , 932SQL450 时钟合成器/抖动清除器 , 1 Output 时钟合成器/抖动清除器 , 1570 MHz 时钟合成器/抖动清除器
2020-7-8
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