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SI5517DU-T1-GE3中文资料
SI5517DU-T1-GE3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• TrenchFET® power MOSFETs
• Thermally enhanced PowerPAK ChipFET
package
- Small footprint area
- Low on-resistance
- Thin 0.8 mm profile
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
• Complementary MOSFET
for portable devices
- Ideal for buck-boost
circuits
SI5517DU-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI5517DU-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39/72mohm @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
24+ |
PowerPAK? CHIPFET? 双 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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VISHAY |
20+ |
SOT23 |
8767 |
全新原装公司现货
|
|||
VISHAY |
23+ |
SOT23 |
8767 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
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Vishay(威世) |
2249+ |
PowerPAK ChipFET |
61107 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAK |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
VISHAY |
1735+ |
SOT23 |
6528 |
科恒伟业!只做原装正品!假一赔十! |
|||
VISHAY |
25+23+ |
SMD |
21057 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
VISHAY |
22+ |
SMD |
20000 |
深圳原装现货正品有单价格可谈 |
SI5517DU-T1-GE3 价格
参考价格：￥2.9108
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Datasheet数据表PDF页码索引
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Vishay Siliconix 威世科技半导体
中文资料: 353552条
Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起，我们将在几十年内不断发展壮大，达到今天的地位：世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器，Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施，它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位，可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销，我们产生了必要的组件，使发明者和创新者能够创造新一代产品，这些产品跨越许多领域：汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗
