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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SI4886DY | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 文件：596.05 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |   | |
SI4886DY | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 文件：57.78 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
SOP8 N 20V 6MR 文件：738.39 Kbytes Page：5 Pages | | |||
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 文件：596.05 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
100V Dual N-Channel MOSFET General Description The AO4886 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON).This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting. Product Summary | AOSMD 万国半导体 | | ||
Monolithic Crystal Filter 文件：294.47 Kbytes Page：2 Pages | RAKON | | ||
N-Channel Enhancement MOSFET 文件：2.68585 Mbytes Page：5 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
N-Channel MOSFET 文件：2.7659 Mbytes Page：5 Pages | KEXIN 科信电子 | | ||
Monolithic Crystal Filter 文件：294.47 Kbytes Page：2 Pages | RAKON | |
SI4886DY产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI4886DY
- 功能描述
MOSFET 30V 13A 2.95W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
SOP-8 |
39645 |
VISHAY/威世全新特价Si4886DY-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
VIS |
2023+ |
SO-8 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
SOP-8 |
60000 |
||||
Vishay(威世) |
25+ |
N/A |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
VISHAY/威世 |
21+ |
SOP-8 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOP-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY |
22+23+ |
SOP-8 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
|||
VISHAY/威世通 |
21+ |
SOP-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SMD-8 |
2500 |
百分百进口原装环保整盘 |
|||
VISHAY |
18+ |
SOP-8 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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SI4886DY数据表相关新闻
SI4894DY-T1-E3
MD/SMT 2 Channel P-Channel MOSFET , PowerFLAT-8x8-HV-5 SMD/SMT 650 V MOSFET , TO-264-3 MOSFET , Si SMD/SMT 1 Channel N-Channel AEC-Q101 75 V - 20 V, + 20 V MOSFET , P-Channel, SBD MOSFET , Single SOT-23-3 60 V MOSFET
2020-9-9SI4835DDY-T1-E3
产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Id-连续漏极电流: - 13 A Vgs - 栅极-源极电压: 25 V Qg-栅极电荷: 65 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C
2020-7-13SI4835DDY-T1-E3
TO-92-3 MOSFET , DFN-5 80 V MOSFET , 38 A 400 V MOSFET , SO-8 N-Channel 20 A 30 V MOSFET , SMD/SMT 1 Channel P-Channel 20 V MOSFET , SOT-23-3 SMD/SMT 1 Channel N-Channel 200 V MOSFET
2020-7-13SI4894BDY-T1-GE3原装正品现货供应
D2PAK-3 N-Channel MOSFET ， N-Channel 25 A 900 V MOSFET ， Dual SMD/SMT 2 Channel N-Channel 1 V MOSFET ， PG-TO-247-3 MOSFET ， 1 Channel N-Channel 1 W AEC-Q101 MOSFET ， P-Channel 2.7 A 30 V MOSFET
2019-12-27SI4816BDY-T1-GE3公司全新原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2019-9-12SI4892DY-T1公司全新原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2019-8-29
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