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SI4886DY	N-ChannelReducedQg,FastSwitchingMOSFET 文件：57.78 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
SI4886DY	N-ChannelReducedQg,FastSwitchingMOSFET 文件：596.05 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
SI4886DY-T1-E3	SOP8N20V6MR 文件：738.39 Kbytes Page：5 Pages	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO,. LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 PDF上传者：深圳市百域芯科技有限公司
SI4886DY-T1-E3	N-ChannelReducedQg,FastSwitchingMOSFET 文件：596.05 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技
AO4886	100VDualN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4886combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforboostconvertersandsynchronousrectifiersforconsumer,telecom,industrialpowersuppliesandLEDbacklighting. ProductSummary	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4886	N-ChannelEnhancementMOSFET 文件：2.68585 Mbytes Page：5 Pages	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4886-HF	N-ChannelMOSFET 文件：2.7659 Mbytes Page：5 Pages	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
HM4886A	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件：584.25 Kbytes Page：6 Pages	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
MAX4886	Quad,High-SpeedHDMI/DVI2:1DigitalVideoSwitch 文件：206.98 Kbytes Page：12 Pages	MaximMaximIntegrated 美信半导体

SI4886DY产品属性

类型
描述
型号
SI4886DY
功能描述
MOSFET 30V 13A 2.95W
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-16 18:46:00

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2020-9-9
SI4835DDY-T1-E3
产品属性属性值搜索类似制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS:详细信息技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SO-8 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1Channel Id-连续漏极电流:-13A Vgs-栅极-源极电压:25V Qg-栅极电荷:65nC 最小工作温度:-55C 最大工作温度:+150C
2020-7-13
SI4835DDY-T1-E3
TO-92-3MOSFET,DFN-580VMOSFET,38A400VMOSFET,SO-8N-Channel20A30VMOSFET,SMD/SMT1ChannelP-Channel20VMOSFET,SOT-23-3SMD/SMT1ChannelN-Channel200VMOSFET
2020-7-13
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2019-9-12
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