SI4894BDY-T1-GE3产品详细规格
标准包装 2，500
FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 8.9A
Rds（最大）@ ID，VGS 11 mOhm @ 12A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 38nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 1580pF @ 15V
功率 - 最大 1.4W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154， 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SOIC N
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 8.9 A
RDS -于 11@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 13 ns
典型上升时间 10 ns
典型关闭延迟时间 33 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 30 V
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 8.9 A
抗漏源极RDS （ ON） 11 mOhms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOIC-8 Narrow
封装 Reel
下降时间 10 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 1.4 W
上升时间 10 ns
工厂包装数量 2500
零件号别名 SI4894BDY-GE3
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 8.9A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
供应商设备封装 8-SOIC N
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 11 mOhm @ 12A， 10V
FET型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 1.4W
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 1580pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 38nC @ 10V
封装/外壳 8-SOIC (0.154， 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI4894BDY-T1-GE3CT
RDS（ON） 11 mOhms
栅源电压（最大值） ?20 V
漏源导通电阻 0.011 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOIC N
引脚数 8
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 30 V
弧度硬化 No
系列 SI4
品牌 Vishay Semiconductors
商品名 TrenchFET
技术 Si
