位置：首页 > IC中文资料第10172页 > SI470M35
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI470M35 | SNAP-INMOUNTALUMINUMELECTROLYTIC 文件：21.19 Kbytes Page：2 Pages | NTE NTE Electronics, Inc |  |   |
ALUMINUMELECTROLYTIC6.3Vto100V 文件：30.21 Kbytes Page：3 Pages | NTE NTE Electronics, Inc | | | |
MiniatureAluminumElectrolyticCapacitors 文件：175.97 Kbytes Page：2 Pages | NICNIC Components Corporation NIC元件股份有限公司 |  | | |
MiniatureAluminumElectrolyticCapacitors 文件：142.67 Kbytes Page：2 Pages | NICNIC Components Corporation NIC元件股份有限公司 | | | |
SOLIDTANTALUM 文件：17.53 Kbytes Page：1 Pages | NTE NTE Electronics, Inc | | |
SI470M35产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI470M35
- 制造商
NTE
- 制造商全称
NTE Electronics
- 功能描述
SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIL |
2020+ |
QFN |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
SILON |
23+ |
NA/ |
1962 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
SILICON/芯科 |
24+ |
ROHS |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
SILICON |
2017+ |
QFN20 |
35689 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
SIL |
2023+ |
QFN |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
SILICON LABS/芯科 |
23+ |
QFN |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
SILICONLA |
RFTransmi |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
SILICON LABS/芯科 |
N/A |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
SILICON LABS |
0701 |
2 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
SILICON |
1822+ |
QFN |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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2021-7-29SI4755-A40-GMR
RFReceiver射频接收器,AM/FMRadioReceiver射频接收器,1227.6MHz,1575.42MHz射频接收器,315MHzor433MHzSuperheterodyneReceiver射频接收器,47MHzto1.218GHz射频接收器,4.092MHzto1575.42MHz,8.57MHzto1601.718MHz,10.23MHzto156
2020-9-4SI4802DY-T1-E3
SOT-23-3P-Channel30VMOSFET,N-Channel140A200VMOSFET,SOT-23-3MOSFET,1ChannelN-Channel75A100VMOSFET,P-Channel60AMOSFET,N-Channel3AMOSFET
2020-8-26SI4804BDY-T1-E3公司全新原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2019-9-12SI4684DY-T1-E3深圳市睿智芯电子有限公司，只做原装正品。
制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS:详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SO-8 商标名:TrenchFET 封装:CutTape 封装:Reel 高度:1.75mm 长度:4.9mm 系列:SI4 宽度:3.9mm 商标:Vishay/Siliconix CNHTS:8541210000 HTS代码:8541210095 MXHTS:854
2019-3-19
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