制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 10 A, 9.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 17.5 mOhms, 21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV, 1.2 V
Qg-栅极电荷: 20.5 nC, 41.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W, 3.2 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 9 ns, 14 ns
正向跨导 - 最小值: 27 S, 25 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns, 9 ns
系列: SI4
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns, 50 ns
典型接通延迟时间: 7 ns, 9 ns
零件号别名: SI4542DY-T1-E3-S
单位重量: 750 mg
