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SI4688DY-T1-GE3

N-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI4688DY-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4688DY-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-5-7 19:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
20+
SOP-8
3522
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
Silicon Labs
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全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
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全新原装优势
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24+
SO-8
7500
Silicon Labs
22+
9000
原厂渠道,现货配单

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