位置：首页 > IC中文资料 > SI4410DY-T1-E3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI4410DY-T1-E3 | N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC | VBSEMI 微碧半导体 |   |
更新时间：2026-2-5 20:03:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-4-10
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