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SI4410DY-T1-E3中文资料

厂家型号

SI4410DY-T1-E3

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1086.12Kbytes

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9

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI4410DY-T1-E3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

更新时间:2026-1-31 11:00:00
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