SI4276DY价格

参考价格:¥3.1289

型号:SI4276DY-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SI4276DY多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI4276DY批发/采购报价,SI4276DY行情走势销售排行榜,SI4276DY报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SI4276DY

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC for Notebook PC

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI4276DY

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

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FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC for Notebook PC

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Low-Drop Voltage Regulator

Low-Drop Voltage Regulator Features • Output voltage tolerance ≤ ± 4 • Low-drop voltage • Inhibit input • Very low current consumption • Short-circuit-proof • Reverse polarity proof • Suitable for use in automotive electronics

SIEMENS

西门子

Nylon Kayak Clips

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Heyco

BNC Male Right Angle Both Ends

文件:21.84 Kbytes Page:1 Pages

POMONA

Pomona Electronics

ECC management on SPC560x

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Low consumption current

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IKSEMICON

SI4276DY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4276DY

  • 功能描述

    MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    TrenchFET®

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-11-3 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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