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SI2309A

SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS

Features VDS (V) =-60V ID =-1.25 A (VGS =-10V) RDS(ON)

UMW

友台半导体

SI2309A

SOT-23-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS

Features VDS (V) =-60V ID =-1.25 A (VGS =-10V) RDS(ON)

EVVOSEMI

翊欧

SI2309A

场效应管

HXYMOS

华轩阳电子

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available

VBSEMI

微碧半导体

MOS场效应

JSMSEMI

杰盛微

Pneumatic muffler

文件:96.1 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

High Current Toroid Inductors

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Bourns

伯恩斯

High Current Toroid Inductors Horizontal or vertical mount

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Bourns

伯恩斯

High Current Toroid Inductors

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Bourns

伯恩斯

High Current Toroid Inductors

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Bourns

伯恩斯

更新时间:2026-1-2 9:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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