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SI2309ADS-T1-GE3

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-9-25 23:01:00
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