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SI1016CX_V01

Complementary N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFETs • High-side switching • Ease in driving switches • Low offset (error) voltage • Low-voltage operation • High-speed circuits • Typical ESD protection: n-channel 900 V, p-channel 900 V (HBM) • 100 Rg tested • Material categorization: for definitions of

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威世威世科技公司

更新时间:2025-11-26 23:00:00
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