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BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris

Bourns

伯恩斯

Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode

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Infineon

英飞凌

ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER

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DIODES

美台半导体

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

更新时间:2025-11-3 15:13:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+
SOT363
9480
公司现货库存,支持实单
BEREX
23+
SOT-89
7300
专注配单,只做原装进口现货
Mini-circuits
24+
SMD
3200
进口原装假一赔百
BEREX
25+
SOT-89
880000
明嘉莱只做原装正品现货
BEREX
22+
SOT-89
30000
只做原装正品
Bourns Inc.
25+
TO-247-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
Mini-circuits
原厂封装
1779
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
MINI
24+
SMD
3600
MINI专营品牌全新原装正品假一赔十
MINI
24+
25
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23+
SOT-89
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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