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SGR6N60UFTF

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 6A 30W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

Avalanche Energy Specified

DESCRITION · Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES · Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω (Max) · Avalanche Energy Specified · Fast Switching · Simple Drive Requirements

ISC

无锡固电

6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 6N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications

UTC

友顺

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:460.3 Kbytes Page:6 Pages

ZSELEC

淄博圣诺

N-Channel Power MOSFET

文件:486.21 Kbytes Page:10 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET

文件:1.0803 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SGR6N60UFTF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGR6N60UFTF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V/3A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 11:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
25+
TO-252(DPAK)
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
24+
N/A
58000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
onsemi(安森美)
25+
TO-252(DPAK)
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
Fairchild/ON
23+
DPak
8000
只做原装现货
FAIRCHILD/仙童
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货
FSC
25+
TO252
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
Fairchild/ON
22+
DPak
9000
原厂渠道,现货配单
FAIRCHILD
24+
SOT252
89000
特价特价100原装长期供货.
FAIRCHILD/仙童
25+
SOT-252
10000
原装现货假一罚十
FAIRCHILD
24+
TO-252
10000

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