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SGP04N60

Fast IGBT in NPT-technology

Fast IGBT in NPT-technology • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution

Infineon

英飞凌

SGP04N60

Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

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Infineon

英飞凌

SGP04N60

分立式IGBT

Infineon

英飞凌

Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

文件:1.94027 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

文件:1.94029 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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A-POWER

富鼎先进电子

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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A-POWER

富鼎先进电子

SGP04N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGP04N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 15:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INF
24+
400
INFINEON/英飞凌
25+
TO-220
74
全新原装正品支持含税
INFINEON
24+
TO-220
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
INFINEON/英飞凌
2447
TO-220
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
INFINEON
23+
PG-TO220-3
6800
只做原装正品现货
INFINEON
24+
TO-220
25836
新到现货,只做全新原装正品
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON
1932+
TO-220
932
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
英飞翎
17+
TO-220
31518
原装正品 可含税交易
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务

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