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Electrical Characteristics of IGBT

General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. FGL60N170D is designed for the Induction Heating applications. Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 5.0 V @ IC = 60A • High Input Impedance

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-26 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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NA/
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FAIRCHILD/仙童
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