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FGL60N170D

Electrical Characteristics of IGBT

General Description Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides low conduction and switching losses. FGL60N170D is designed for the Induction Heating applications. Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 5.0 V @ IC = 60A • High Input Impedance

FAIRCHILD

仙童半导体

FGL60N170D

Electrical Characteristics of IGBT

ONSEMI

安森美半导体

FGL60N170D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGL60N170D

  • 制造商

    FAIRCHILD

  • 制造商全称

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述

    Electrical Characteristics of IGBT

更新时间:2026-8-2 11:50:00
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