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MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 45.0dBm at 6.4GHz to 7.2GHz ・HIGH GAIN G1dB= 9.5dB at 6.4GHz to 7.2GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN)= -44dBc at Pout= 34dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-1-3 16:42:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
22+
SOP
3000
原装正品,支持实单
TOSHIBA/东芝
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
TOSHIBA
NEW
NA
9526
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
TOSHIBA
18+
SMD
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
TOSHIBA
24+
SMD
1680
一级代理原装进口现货
TOSHIBA/东芝
23+
N/A
7560
原厂原装
TOSHIBA
2308+
原厂原包
6850
十年专业专注 优势渠道商正品保证
TOSHIBA/东芝
24+
256
现货供应
TOSHIBA/东芝
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
TOSHIBA
11+
SOP
8000
全新原装,绝对正品现货供应

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