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芯片资料

精确

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FEATURES

･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET

･HIGH POWER

P1dB= 45.0dBm at 6.4GHz to 7.2GHz

･HIGH GAIN

G1dB= 9.5dB at 6.4GHz to 7.2GHz

･LOW INTERMODULATION DISTORTION

IM3(MIN)= -44dBc at Pout= 34dBm (Single Carrier Level)

･HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TIM6472-30UL供应商...

更新时间：2025-10-13 10:31:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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