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SGD02N60中文资料

厂家型号

SGD02N60

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9

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SGD02N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGD02N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 2A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 8:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
2669
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-252
17416
原装进口假一罚十
INFINEON
23+
PG-TO252-3
6800
只做原装正品现货
INFINEON
24+
P-TO252-3-1
8866
Infineon(英飞凌)
2447
PG-TO252-3
115000
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
INFINEON/英飞凌
25+
TO-252-2
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INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
infineon/英飞凌
21+
SOT-252
10000
原装现货假一罚十
Infineon/英飞凌
2021+
PG-TO252-3
9600
原装现货,欢迎询价
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO252-3
25000
原装正品,假一赔十!