型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGB30N60

Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

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Infineon

英飞凌

SGB30N60

Fast IGBT in NPT-technology

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Infineon

英飞凌

Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

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Infineon

英飞凌

BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris

Bourns

伯恩斯

Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode

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Infineon

英飞凌

ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER

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DIODES

美台半导体

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

SGB30N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGB30N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-9 12:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
Infineon(英飞凌)
2511
9550
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
INFINEON
24+
MODULE
2100
公司大量全新现货 随时可以发货
INF
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON
24+
TO-247
2060
专业供应模块 热卖库存
INFINEON
23+
PG-TO263-3
6800
只做原装正品现货
24+
N/A
47000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
INFINEON
100
原装现货,价格优惠
INFINEON/英飞凌
2447
SOT263
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货

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