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位置：首页 > IC中文资料第3364页 > SGB20N60

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SGB20N60

FastS-IGBTinNPT-technology

FastS-IGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwith lowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistributio

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SGB20N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

文件：795.82 Kbytes Page：11 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SGB20N60_06

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

文件：795.82 Kbytes Page：11 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
20N60

20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
20N60B

HiPerFASTIGBT

VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
20N60

FastSwitching

文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
20N60

N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET

文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
20N60A

20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor

文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑风微电子广东佑风微电子有限公司

YFWDIODE

SGB20N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGB20N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 20A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

SGB20N60供应商更多...

更新时间：2024-6-15 8:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳兆威电子有限公司
SGB20N60
VB
2019
D2-PAK
55000
绝对原装正品假一罚十!
询价
中科国际电子(深圳)有限公司
SGB20N60
Infineon(英飞凌)
22+
NA
7000
原厂原装现货
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深圳和润天下电子科技有限公司
SGB20N60
INFINEON/英飞凌
22+
PG-TO263-3
92667
询价
深圳市浩宇伟业电子有限公司
SGB20N60
infineon
22+
35000
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深圳市云美电子科技有限公司
SGB20N60
INFINEON/
22+
SOT-263
34137
只做原装进口现货
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深圳市明嘉莱科技有限公司
SGB20N60
INFINEON/英飞凌
24+
TO-263
860000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市东来宝电子科技有限公司
SGB20N60
INFINEON/英飞凌
22+
TO-263
94832
郑重承诺只做原装进口现货
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深圳市华芯源电子有限公司
SGB20N60
INFINEON/英飞凌
22+
PG-TO263-3
92667
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
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深圳市航润创能电子集团有限公司
SGB20N60
INFINEON/英飞凌
21+
TO-263
2000
原装现货假一赔十
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深圳市永贝尔科技有限公司
SGB20N60
INFINEON
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
询价

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