位置：首页 > IC中文资料第6594页 > SGB10N60
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGB10N60 | HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 600V 20A 92W TO263-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 |  | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | |
SGB10N60产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGB10N60
- 功能描述
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
1086 |
原装现货假一赔十 |
|||
INFINEO |
2020+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
TO-263 |
货真价实,假一罚十 |
25000 |
||||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO263-3 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO263-3 |
2610 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
INFINEO |
18+ |
TO-263 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
Infineon(英飞凌) |
2021/2022+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
Infineon(英飞凌) |
22+ |
标准封装 |
7000 |
公司只有原装 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
SOT263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
SGB10N60芯片相关品牌
SGB10N60规格书下载地址
SGB10N60参数引脚图相关
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- SGBJ6G
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- SGB15N60ATMA1
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- SGB15N120ATMA1
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- SGB-13P-04V
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2022-7-7SGA-4286Z
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2021-11-23SGD02N120
SGD02N120，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-4SGA-4586Z 射频管 进口原装现货。
SGA-4586Z 进口原装现货。
2021-1-19SGA-4563Z
SGA-4563Z，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-6
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