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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SGB10N60A | FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
SGB10N60A | FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 600V 20A 92W TO263-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 |  | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | |
SGB10N60A产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGB10N60A
- 功能描述
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO263-3 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
1086 |
原装现货假一赔十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
SOT-263 |
16953 |
原装进口假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-3 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
INFINEON |
2022+ |
SOT263 |
57550 |
||||
INFINEON |
TO263-3 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
INFINEON |
2023+ |
P-TO263- |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
INFINEON |
11+ |
TO263-3 |
110 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA/ |
3350 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
21048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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SGB10N60A规格书下载地址
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2021-11-23SGD02N120
SGD02N120，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-4SGA-4586Z 射频管 进口原装现货。
SGA-4586Z 进口原装现货。
2021-1-19SGA-4563Z
SGA-4563Z，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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