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位置：首页 > IC中文资料第8227页 > SG6N60UFPWD

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
6N60

6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

 DESCRIPTION The UTC 6N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications

UTC

友顺

6N60

Avalanche Energy Specified

DESCRITION · Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES · Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω (Max) · Avalanche Energy Specified · Fast Switching · Simple Drive Requirements

ISC

无锡固电

6N60

N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET

文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

6N60

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages

ZSELEC

淄博圣诺

6N60

N-Channel Power MOSFET

文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

SG6N60UFPWD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SG6N60UFPWD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

SG6N60UFPWD供应商更多...

更新时间：2025-10-18 17:45:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市星辰微电科技有限公司
6N60F,D
SILAN/士兰微
22+
TO-220F-3L;TO-252-2L
150000
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中天科工半导体（深圳）有限公司
6N60L-A-TA3-T
UTC/友顺
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UTC/友顺6N60L-A-TA3-T即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市振宏微科技有限公司
6N60
TO-220F
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NA
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深圳市恒达亿科技有限公司
6N60
F
25+
TOP220
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
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深圳市宇集芯电子有限公司
6N60
FAIFCHILD
24+
TO-220
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深圳市中拓海外电子有限公司
6N-60
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N(M/F)
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深圳市宝芯创电子有限公司
6N60(FQFP6N60)
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深圳市顺鑫晟科技有限公司
6N60
士兰微/IFR/仙童/WG
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深圳诚思涵科技有限公司
6N60
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深圳市安富世纪电子有限公司
6N60
UTC/友顺
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TO-220
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SG6N60UFPWD规格书下载地址

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