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SG2012L

High-Reliability Transistors

Key Features: • Seven npn Darlington pairs • -55°C to 125°C ambient operating temperature range • Collector currents to 600mA • Output voltages from 50V to 95V • Internal clamping diodes for inductive loads • DTL, TTL, PMOS, or CMOS compatible inputs • Hermetic ceramic package The SG2000 series inte

MICROCHIP

微芯科技

High-Reliability Transistors

Key Features: • Seven npn Darlington pairs • -55°C to 125°C ambient operating temperature range • Collector currents to 600mA • Output voltages from 50V to 95V • Internal clamping diodes for inductive loads • DTL, TTL, PMOS, or CMOS compatible inputs • Hermetic ceramic package The SG2000 series inte

MICROCHIP

微芯科技

NPN DARLINGTON POWER MODULE

■ HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE ■ VERY LOW RthJUNCTION TO CASE ■ SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ■ ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE ■ FULLY INSULATED PACKAGE (UL COMPLIANT) ■ EASY TO MOUNT ■ LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE INDUSTRIAL APPLICATIONS: ■ MOTOR CONTROL

STMICROELECTRONICS

意法半导体

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. PolyfetTMrocess features gold metal for greatly extended lifetim

POLYFET

Integrated Circuit 7-Channel Darlington Array/Driver

Description: The NTE2011 through NTE2015 are high–voltage, high–current Darlington arrays in a 16–Lead DIP type package and are comprised of seven silicon NPN Darlington pairs on a common monolithic sub strate. All units have open–collector outputs and integral diodes for inductive load transie

NTE

SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE

Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip

TECCOR

SCR FOR OVERVOLTAGE PROTECTION

DESCRIPTION The TYP 212 ---> 1012 Family uses high perform ance glass passivated chips technology. These Silicon Controlled Rectifiers are designed for overvoltage protection in crowbar circuits application. FEATURES .HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY .HIGH dI/dt RATING .HIGH STABILIT

STMICROELECTRONICS

意法半导体

SG2012L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SG2012L

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    SG2012L - Bulk

更新时间:2026-5-13 19:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MSC
1325+
CDIP
5
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MSC
24+
CDIP
5000
全新原装正品,现货销售
SGMICRO
24+
CDIP
25836
新到现货,只做全新原装正品
EPSON爱普生
25+
SMD
45000
EPSON爱普生全系列在售支持订货
原厂
NA
8650
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
LINFINITY
23+
CERDIP-16
7000
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!
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QQ咨询
CDIP
1056
全新原装 研究所指定供货商
LINFINIT
23+
CDIP16
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
MSC
25+
CDIP
11000
假一赔百原装正品价格优势实单可谈
EPSON
21+
SMD
502
全新 发货1-2天

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