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F2012中文资料

厂家型号

F2012

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功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

POLYFET

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General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. PolyfetTMrocess features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

F2012产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F2012

  • 制造商

    POLYFET

  • 制造商全称

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述

    PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

更新时间:2025-10-5 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POLYFET
24+
23
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24+
285
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