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7.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 8N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching ap

UTC

友顺

isc N-Channel Mosfet Transistor

·FEA TURES ·Drain Current –ID= 7.5A@TC=25℃ ·Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-SourceOn-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) ·Avalanche Energy Specified ·Fast Switching ·Simple Drive Requirements ·DESCRITION ·Designed for high effi

ISC

无锡固电

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:473.72 Kbytes Page:7 Pages

ZSELEC

淄博圣诺

8A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:879.04 Kbytes Page:12 Pages

WXDH

东海半导体

7.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:217.21 Kbytes Page:8 Pages

UTC

友顺

更新时间:2025-12-17 18:17:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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全新原装、诚信经营、公司现货销售

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    SFR10EZPF5103

    2024-1-12
  • SFV8R-3STBE1HLF

    优势渠道

    2023-1-29
  • SFR9230BTM

    SFR9230BTM

    2021-7-23
  • SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3

    SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3

    2021-6-23
  • SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376

    联系人:刘冬英 公司电话:0755-83203002 手机:18138231376 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

    2019-5-6
  • SG1503T-精密2.5伏参考...

    描述 这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器,内部装饰为± 1%的准确度。需要较少比静态电流为2mA,这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5%。另外本计画为电压精度,实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10 ppm的/° C的因此,这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55 ° C至125 ° C,而在SG2503是专为-25 ° C至85 ° C和0℃的商业应用SG3503至70℃ 特征 ·输出电压调整到±1% ·输入电压范围

    2013-3-15