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IRF443	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES • Low Boston) at high voltage • Improved Inductive ruggedness • Excellent high voltage stability • Fast switching times • Rugged polyslllcon gate cell structure • Low Input capacitance • Extended safe operating area • Improved high temperature reliability • TO-3 package (High vol	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
IRF443	N-Channel Power MOSFETs, 8A, 450 V/500V Description These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed sepecially for high voltage, high speed applications, such as off-line switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers.	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
MAN443C	0.39 INCH (9.9MM) SINGLE DIGIT STICK DISPLAY	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
XU443	N-Channel JFET Monolithic Dual DESCRIPTION The U443 Series is an N-Channel Monolithic Dual JFET designed for high speed amplifier circuits. Featuring high gain ( > 6 mS typical), low leakage ( FEATURES • High Gain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . gfs > 6 mS typical • Low Leakage . . . . . . . . . . . . . . . .	CALOGIC	CALOGIC
MAN443C	0.39 INCH (9.9MM) SINGLE DIGIT STICK DISPLAY 文件：223.54 Kbytes Page：6 Pages	QT	QT

SFT443A供应商更多...

更新时间：2026-5-14 22:30:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	IRF4435TRPBF	IRF	24+	SOP-8	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
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SFR10EZPF5103
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2024-1-12
SFV8R-3STBE1HLF
优势渠道
2023-1-29
SFR9230BTM
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2021-7-23
SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3
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2021-6-23
SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376
联系人：刘冬英公司电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-5-6
SG1503T-精密2.5伏参考...
描述这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器，内部装饰为± 1％的准确度。需要较少比静态电流为2mA，这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5％。另外本计画为电压精度，实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10 ppm的/° C的因此，这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55 ° C至125 ° C，而在SG2503是专为-25 ° C至85 ° C和0℃的商业应用SG3503至70℃ 特征 ·输出电压调整到±1％ ·输入电压范围
2013-3-15