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IRF443中文资料

厂家型号

IRF443

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功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO

数据手册

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生产厂商

SAMSUNG

IRF443数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Low Boston) at high voltage

• Improved Inductive ruggedness

• Excellent high voltage stability

• Fast switching times

• Rugged polyslllcon gate cell structure

• Low Input capacitance

• Extended safe operating area

• Improved high temperature reliability

• TO-3 package (High voltage)

IRF443产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF443

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO

更新时间:2025-12-16 11:03:00
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