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SFT352B晶体管资料

  • SFT352B别名:SFT352B三极管、SFT352B晶体管、SFT352B晶体三极管

  • SFT352B生产厂家

  • SFT352B制作材料:Ge-PNP

  • SFT352B性质

  • SFT352B封装形式:直插封装

  • SFT352B极限工作电压:18V

  • SFT352B最大电流允许值:0.15A

  • SFT352B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • SFT352B引脚数:3

  • SFT352B最大耗散功率:0.2W

  • SFT352B放大倍数

  • SFT352B图片代号:C-78

  • SFT352Bvtest:18

  • SFT352Bhtest:999900

  • SFT352Batest:0.15

  • SFT352Bwtest:0.2

  • SFT352B代换 SFT352B用什么型号代替:3AX54A,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Dual Hot Carrier Mixer Diodes

Dual Hot Carrier Mixer Diodes These devices are designed primarily for UHF mixer applications but are suitable also for use in detector and ultra−fast switching circuits. Features •Very Low Capacitance −Less Than 1.0 pF @ Zero V •Low Forward Voltage −0.5 V (Typ) @ IF= 10 mA •P

ONSEMI

安森美半导体

Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount)

Description: The NTE352 is a silicon NPN transistor in a W65 type package designed primarily for use in 12.5V VHF large–signal power amplifier applications required in commercial and industrial FM equipment to 175MHz. Features: ● Specified 12.5V, 175MHz Characteristics: Output Power = 75W

NTE

Square Type

文件:31.46 Kbytes Page:1 Pages

PANASONIC

松下

Square Type

文件:32 Kbytes Page:1 Pages

PANASONIC

松下

LinCMOSE DUAL DIFFERENTIAL COMPARATOR

文件:140.77 Kbytes Page:9 Pages

TI

德州仪器

更新时间:2026-5-14 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
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ONSEMI/安森美
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  • SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376

    联系人:刘冬英 公司电话:0755-83203002 手机:18138231376 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

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    描述 这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器,内部装饰为± 1%的准确度。需要较少比静态电流为2mA,这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5%。另外本计画为电压精度,实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10 ppm的/° C的因此,这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55 ° C至125 ° C,而在SG2503是专为-25 ° C至85 ° C和0℃的商业应用SG3503至70℃ 特征 ·输出电压调整到±1% ·输入电压范围

    2013-3-15