SFT144晶体管资料

  • SFT144别名:SFT144三极管、SFT144晶体管、SFT144晶体三极管

  • SFT144生产厂家:DIT

  • SFT144制作材料:Ge-PNP

  • SFT144性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • SFT144封装形式:直插封装

  • SFT144极限工作电压:45V

  • SFT144最大电流允许值:0.5A

  • SFT144最大工作频率:<1MHZ或未知

  • SFT144引脚数:3

  • SFT144最大耗散功率:0.35W

  • SFT144放大倍数

  • SFT144图片代号:D-20

  • SFT144vtest:45

  • SFT144htest:999900

  • SFT144atest:.5

  • SFT144wtest:.35

  • SFT144代换 SFT144用什么型号代替:AC128,AC153,AC193,3AX55C,

SFT144价格

参考价格:¥1.8555

型号:SFT1440-E 品牌:ON 备注:这里有SFT144多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SFT144批发/采购报价,SFT144行情走势销售排行榜,SFT144报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •ON-resistanceRDS(on)=6.2Ω(typ.)

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

N-ChannelPowerMOSFET

N-ChannelPowerMOSFET 600V,1.5A,8.1Ω,SingleTP/TP-FA Features •ON-resistanceRDS(on)=6.2Ω(typ.) •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-ChannelPowerMOSFET

N-ChannelPowerMOSFET 600V,1.5A,8.1Ω,SingleTP/TP-FA Features •ON-resistanceRDS(on)=6.2Ω(typ.) •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-ChannelPowerMOSFET

N-ChannelPowerMOSFET 600V,1.5A,8.1Ω,SingleTP/TP-FA Features •ON-resistanceRDS(on)=6.2Ω(typ.) •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-ChannelPowerMOSFET100V,9A,225m,SingleTP/TP-FA

Features •ON-resistanceRDS(on)1=180mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=490pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •ON-resistanceRDS(on)1=180mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=490pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •ON-resistanceRDS(on)1=85mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=1030pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

N-ChannelPowerMOSFET100V,17A,111m,SingleTP/TP-FA

Features •ON-resistanceRDS(on)1=85mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=1030pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-ChannelPowerMOSFET100V,17A,111m,SingleTP/TP-FA

Features •ON-resistanceRDS(on)1=85mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=1030pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-ChannelPowerMOSFET100V,17A,111m,SingleTP/TP-FA

Features •ON-resistanceRDS(on)1=85mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=1030pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-ChannelPowerMOSFET60V,20A,51m,SingleTP/TP-FA

Features •ON-resistanceRDS(on)1=39mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=750pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •ON-resistanceRDS(on)1=39mΩ(typ) •InputCapacitanceCiss=750pF(typ) •4Vdrive •Halogenfreecompliance

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

N-ChannelPowerMOSFET60V,20A,51m,SingleTP/TP-FA

Features •ON-resistanceRDS(on)1=39mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=750pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-ChannelPowerMOSFET60V,20A,51m,SingleTP/TP-FA

Features •ON-resistanceRDS(on)1=39mΩ(typ.) •InputCapacitanceCiss=750pF(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:1.08194 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件:1.08635 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件:1.08645 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

文件:1.05335 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:2.01903 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

N-Channel100V(D-S)MOSFET

文件:1.00916 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

文件:1.05343 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:1.18304 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:2.49771 Mbytes Page:4 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

N-Channel100V(D-S)MOSFET

文件:954.6 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel60V(D-S)MOSFET

文件:960.69 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:897.65 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

PGAZIFTest&Burn-inSocketforAnyFootprintonStd8x8to21x21Grid

FEATURES •StrongMetalCamActivatesNormally-closedContacts,PreventingDependencyonPlasticfor ContactForce •HandlemountedonRight-orLeft-handSide •AnyFootprintAcceptedonStandard13x13to21x21Grid GENERALSPECIFICATIONS •SOCKETBODY:blackUL94V-0PolyphenyleneSulfid

ARIES

Aries Electronics,inc

ARIES

LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS

文件:376.28 Kbytes Page:2 Pages

HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

HAMMOND

LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS

文件:376.28 Kbytes Page:2 Pages

HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

HAMMOND

LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS

文件:376.28 Kbytes Page:2 Pages

HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

HAMMOND

LOWPROFILE-P.C.BOARDMOUNTAUDIOTRANSFORMERS

文件:376.28 Kbytes Page:2 Pages

HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited

哈蒙德哈蒙德制造有限公司

HAMMOND

SFT144产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SFT144

  • 制造商

    SANYO

  • 制造商全称

    Sanyo Semicon Device

  • 功能描述

    General-Purpose Switching Device Applications

更新时间:2024-6-23 17:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
TO252
893993
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
ON/安森美
23+
TO252
15516
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
SANYO
589220
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
ON
新批次
TO252
4326
ON
24+
TO252
16500
假一赔百原装正品价格优势实单可谈
ON/安森美
2021+
TO-252
5980
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票
ON/安森美
1802+
TO-252
3560
只做原装!天天特价!欢迎随时咨询!
Ons
23+
DPAKTP-FA
33500
全新原装真实库存含13点增值税票!
SANYO
2020+
TO-252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
ON-安森美
24+25+/26+27+
TO-251-3
36218
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

SFT144芯片相关品牌

  • ABC
  • CIT
  • CONTRINEX
  • EPCOS
  • GMT
  • LRC
  • MOLEX5
  • OPLINK
  • Samtec
  • TOTAL-POWER
  • TSC
  • Vishay

SFT144数据表相关新闻

  • SFR10EZPF5103

    SFR10EZPF5103

    2024-1-12
  • SFV8R-3STBE1HLF

    优势渠道

    2023-1-29
  • SFR9230BTM

    SFR9230BTM

    2021-7-23
  • SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3

    SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3

    2021-6-23
  • SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376

    联系人:刘冬英 公司电话:0755-83203002 手机:18138231376 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

    2019-5-6
  • SG1503T-精密2.5伏参考...

    描述这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器,内部装饰为±1%的准确度。需要较少比静态电流为2mA,这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5%。另外本计画为电压精度,实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10ppm的/°C的因此,这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55°C至125°C,而在SG2503是专为-25°C至85°C和0℃的商业应用SG3503至70℃特征·输出电压调整到±1%·输入电压范围

    2013-3-15