| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SWITCHMODE Schottky Power Rectifier The SWITCHMODE Power Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal–to–silicon power diode. State–of–the–art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for use as rectifiers in very low–voltage, high–frequency s | ONSEMI 安森美半导体 |   | ||
Fast Recovery Rectifier 文件：258.32 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
20.0 Ampere Surface Mount Dual Common Cathode Schottky Barrier Rectifiers 文件：778.85 Kbytes Page：2 Pages | THINKISEMI 思祁半导体 | | ||
Noninductive Planar Low Cost, 20 Watt TO 220 Package Thick Film Resistor 文件：50.48 Kbytes Page：3 Pages | BITECH | | ||
Noninductive Planar Low Cost, 20 Watt TO 220 Package Thick Film Resistor 文件：50.48 Kbytes Page：3 Pages | BITECH | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-7-1SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3
SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3
2021-6-23
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