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SDT181晶体管资料

  • SDT1810别名：SDT1810三极管、SDT1810晶体管、SDT1810晶体三极管

  • SDT1810生产厂家：

  • SDT1810制作材料：Ge-PNP

  • SDT1810性质：功率开关 （PSW）

  • SDT1810封装形式：直插封装

  • SDT1810极限工作电压：40V

  • SDT1810最大电流允许值：60A

  • SDT1810最大工作频率：<1MHZ或未知

  • SDT1810引脚数：4

  • SDT1810最大耗散功率：170W

  • SDT1810放大倍数：

  • SDT1810图片代号：D-147

  • SDT1810vtest：40

  • SDT1810htest：999900

  • SDT1810atest：60

  • SDT1810wtest：170

  • SDT1810代换 SDT1810用什么型号代替：3CD10B,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SDT181

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

文件：484.58 Kbytes Page：4 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

SDT181GK08

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

文件：484.58 Kbytes Page：4 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

SDT181GK08B

晶闸管-二极管模块

SIRECTIFIER

矽莱克电子

SDT181GK12

晶闸管-二极管模块

SIRECTIFIER

矽莱克电子

SDT181GK12

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

文件：484.58 Kbytes Page：4 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

SDT181GK12B

晶闸管-二极管模块

SIRECTIFIER

矽莱克电子

SDT181GK14

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

文件：484.58 Kbytes Page：4 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

SDT181GK16

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

文件：484.58 Kbytes Page：4 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

SDT181GK18

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

文件：484.58 Kbytes Page：4 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

BB181

VHF variable capacitance diode

DESCRIPTION The BB181 is a variable capacitance diode, fabricated in planar technology and encapsulated in the SOD523 (SC-79) ultra small plastic SMD package. FEATURES • Excellent linearity • Ultra small plastic SMD package • C28: 1 pF; ratio: 14. APPLICATIONS • Electronic tuning in satelli

PHILIPS

飞利浦

BFP181TRW

Silicon NPN Planar RF Transistor

Features • Low noise figure • High power gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC    and WEEE 2002/96/EC Applications    For low noise and high gain broadband amplifiers at    collector currents from 0.5 mA to 12 mA.

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

MJE181

POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W)

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS

MOSPEC

统懋

MJE181

3 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60-80 VOLTS 12.5 WATTS

3 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60–80 VOLTS 12.5 WATTS . . . designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 60 Vdc — MJE171, MJE181 VCEO(sus) = 80 Vdc — MJE172, MJE182

MOTOROLA

摩托罗拉

MJE181

POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

Complementary Plastic Silicon Power Transistors The MJE170/180 series is designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications. Features • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 40 Vdc − MJE170, MJE180 = 60 Vdc − MJE171,

ONSEMI

安森美半导体

SDT181产品属性

  • 类型

    描述

  • ITVM(A)：

    181

  • IT@TC(°C)：

    85

  • VDRM/VRRM(V)：

    800

  • ITSM 45°C/10ms(A)：

    6000

  • VTO(V)：

    0.8

  • rT(mΩ)：

    1.6

  • dv/dt(V/μs)：

    1000

  • TVJM(°C)：

    125

  • RthJC per chip(K/W)：

    0.155

  • 封装外形：

    Fig. 37

SDT181供应商更多...

更新时间：2026-5-14 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威尔健半导体有限公司
SDT2000SC-27
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SDT181GK18
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SDT18GK08
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SDT181GK16
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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中天科工半导体（深圳）有限公司
SDT181GK14
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模块原装主营-可开原型号增税票
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深圳市安富世纪电子有限公司
SDT1900
INFINEON
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