型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

IGBT

FEATURES · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.75V@IC=30A · High Speed Switching · High Input Impedance APPLICATIONS · General Purpose Inverters · Automotive Chargers · UPS,PFC · Induction Heating

ISC

无锡固电

1300 V, 30 A Shorted-anode IGBT

Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.75 V @ IC = 30 A • High Input Impedance • RoHS Compliant Applications • Induction Heating, Microwave Oven General Description Using advanced field stop trench and shorted-anode technology, Fairchild’s shorted-anode

ONSEMI

安森美半导体

30.0 Ampere Surface Mount Dual Series Connection Ultra Fast Recovery Rectifiers

Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power S

THINKISEMI

思祁半导体

Shorted AnodeTM IGBT

文件:646.77 Kbytes Page:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

thinQ!TM SiC Schot tky Diode

文件:753.63 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

SDP30S120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SDP30S120

  • 制造商

    Power Integrations

  • 功能描述

    DIODE SIC 1200V 30A TO247

  • 制造商

    Power Integrations

  • 功能描述

    DIODE, SIC, 1200V, 30A, TO247

更新时间:2025-11-1 11:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
TO3P
50000
全新原装正品现货,支持订货
MITSUBISHI
24+
TO-3P
800
MITSUBISHI
2023+
TO-3P
50000
原装现货
MITSUBIS三凌
23+
TO-3P
17802
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
RENESAS/瑞萨
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郑重承诺只做原装进口现货
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十年配单,只做原装
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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原装正品,假一罚十!
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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长期代理优势供应

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