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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Field effect rectifier Features ST proprietary process Stable leakage current over reverse voltage Low forward voltage drop High frequency operation Description This single rectifier is based on a proprietary technology, enabling to achieve the best in class VF/IR trade-off for a given silicon surface. | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
20A High Power Trench Schottky Barrier Rectifier 文件：477.59 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
20A High Power Trench Schottky Barrier Rectifier 文件：477.59 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
20A High Power Trench Schottky Barrier Rectifier 文件：477.69 Kbytes Page：3 Pages | CITC 竹懋科技 | | ||
Stable leakage current over reverse voltage 文件：153.8 Kbytes Page：8 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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PowerFlat |
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SDP20U60DN规格书下载地址
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2020-8-3
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