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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ (typ., TJ = 25 °C)in an HiP247 package Features • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C) • Very fast and robust intrinsic body diode • Extremely low gate charge and input capacitances Applications • Switching applications • Power supply for renewable energy systems • High frequency DC-DC converte | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 m廓 typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package 文件：319.31 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 m廓 in an HiP247 long leads package 文件：249.03 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
HIP247-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
HIP247-3 |
16900 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
|||
ST/意法半导体 |
23+ |
HIP247-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
HIP247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
|||
ST/意法 |
2223+ |
HIP-247-3 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
ST(意法) |
25+ |
N/A |
18798 |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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ST |
26+ |
HIP247 |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
ST/意法半导体 |
21+ |
HIP247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
|||
ST/意法半导体 |
23+ |
HIP247-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
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2019-12-31SCTL55
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2019-8-22
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