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SiliconcarbidePowerMOSFET650V,119A,18mΩ(typ.,TJ=25°C)inanHiP247package

Features •Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Extremelylowgatechargeandinputcapacitances Applications •Switchingapplications •Powersupplyforrenewableenergysystems •HighfrequencyDC-DCconverte

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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SiliconcarbidePowerMOSFET650V,18m廓typ.,40AinaPowerFLAT8x8HVpackage

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