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30A, 1200V N-Channel IGBT

Description The HGTG30N120D2 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOS FET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varie

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更新时间:2026-1-4 17:34:01
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