制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 55 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 4 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.6 V
Qg-栅极电荷: 107 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 262 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 19 ns
正向跨导 - 最小值: 8.3 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
系列: SCT3x
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子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
单位重量: 6 g
