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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package

Features • AEC-Q101 qualified • Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C) • Very fast and robust intrinsic body diode • Low capacitance Applications • Traction for inverters • DC-DC converters • OBC Description This silicon carbide Power MOSFET device has been de

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2026-1-2 17:10:01
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