类别
分立半导体产品
单 FET,MOSFET
制造商
Rohm Semiconductor
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
118A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
22.1 毫欧 @ 47A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V @ 23.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
172 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
+22V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2884 pF @ 500 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
427W
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247N
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SCT3017