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SBD40120TCTB

肖特基二极管

JSCJ

长晶科技

120 W, RF Power GaN HEMT

Description Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain an

WOLFSPEED

120 W, RF Power GaN HEMT

Description Wolfspeed’s CGH40120P is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120P, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high ga

WOLFSPEED

120 W, RF Power GaN HEMT

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Cree

科锐

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Cree

科锐

更新时间:2025-11-3 13:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MINI
24+
100
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NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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