| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter saturation voltage) ● High current gain ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC 327, BC 328 (PNP) | SIEMENS 西门子 |   | ||
Si-Epitaxial PlanarTransistors General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors • Power dissipation 625 mW • Plastic case TO-92(10D3) • Weight approx. 0.18 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped in ammo pack | Diotec 德欧泰克 | | ||
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.8 A Collector-base voltage VCBO: BC337 50 V BC338 30 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ | JIANGSU 长电科技 | | ||
NPN Plastic-Encapsulate Transistors 文件：240.18 Kbytes Page：3 Pages | MCC | | ||
Amplifier Transistors NPN Silicon 文件：65.67 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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