| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features VDS = -60V,ID = -1.9A RDS(ON) | RECTRON 丽正国际 |   | ||
Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBA 东芝 | | ||
2.0 AMP. Schottky Barrier Rectifiers 文件：3.42097 Mbytes Page：2 Pages | DYELEC 迪一电子 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.79989 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
Switching Regulator Applications 文件：215.79 Kbytes Page：6 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOSHIBA |
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