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N-CHANNEL60V-0.017ohm-7.5ASO-8STripFET??IIPOWERMOSFET

DESCRIPTION ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronisuniqueSingleFeatureSize™strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowon-resistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemarka

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •Optimizedfor“LowSide”SynchronousRectifierOperation •100RgandUISTested APPLICATIONS •CCFLInverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:1.41129 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
更新时间:2024-9-23 22:58:01
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