背照式FFT-CCD

S7030-0907是科学应用中低光量探测FFT-CCD传感器的一种。通过合并操作（binning operation），它可以被当做线阵传感器，在长度方向上具有很长的孔径，因此它很适合分光光度计。与传统的信号通过外部电路数字化相加不同，合并操作提高了信噪比和信号处理速度。 S7030-0907还具有低噪声和低暗电流的特性（MPP模式下），可长时间积分和低光量探测，因此动态范围很大。 \n- 非制冷型\n- 线像素合并\n- 峰值波长处超过90%量子效率\n- 低读出噪声\n- 宽动态范围\n- MPP操作\n- 高紫外灵敏度，可靠性好;

背照式FFT-CCD

S7030-0906 是科学应用中低光量探测FFT-CCD传感器的一种。通过合并操作（binning operation），它可以被当做线阵传感器，在长度方向上具有很长的孔径，因此它很适合分光光度计。与传统的信号通过外部电路数字化相加不同，合并操作提高了信噪比和信号处理速度。 S7030-0906还具有低噪声和低暗电流的特性（MPP模式下），可长时间积分和低光量探测，因此动态范围很大。 \n- 非制冷型\n- 线像素合并\n- 峰值波长处超过90%量子效率\n- 低读出噪声\n- 宽动态范围\n- MPP操作\n- 高紫外灵敏度，可靠性好;

背照式FFT-CCD

S7030-0906 是科学应用中低光量探测FFT-CCD传感器的一种。通过合并操作（binning operation），它可以被当做线阵传感器，在长度方向上具有很长的孔径，因此它很适合分光光度计。与传统的信号通过外部电路数字化相加不同，合并操作提高了信噪比和信号处理速度。 S7030-0906还具有低噪声和低暗电流的特性（MPP模式下），可长时间积分和低光量探测，因此动态范围很大。 \n- 非制冷型\n- 线/像素合并(binning)\n- 峰值波长处超过90%量子效率\n- 低读出噪声\n- 宽动态范围\n- MPP操作\n- 高紫外灵敏度，可靠性好;

Back-thinned FFT-CCD

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CCD area image sensor

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CCD area image sensor

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CCD area image sensor

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CCD area image sensors

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CCD area image sensor

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CCD area image sensor

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CCD area image sensor

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封装/外壳：模块，SMA 连接器 包装：盒 描述：SWITCH RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关

封装/外壳：模块，SMA 连接器 包装：盒 描述：SWITCH RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关

Silicon Controlled Rectifiers

Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Triode Thyristors . . . PNPN devices designed for high volume, low cost consumer applications such as temperature, light and speed control; process and remote control; and warning systems where reliability of operation is critical. • Small Size • P

Silicon Controlled Rectifiers

Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Triode Thyristors . . . PNPN devices designed for high volume, low cost consumer applications such as temperature, light and speed control; process and remote control; and warning systems where reliability of operation is critical. • Small Size • P

4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT

. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain — hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc • Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Resistors to Limit Leakage Multiplication • Choice of Packages — MJE700 and MJE800 series

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

130.0 Watts Push - Pull Package style AH General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Semiconductor Laser for LBPLaser Beam Printers

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